Главная / Производители / BATOP / Лазеры ВАТОР

Лазеры ВАТОР

 

25-0

 

Микрочиповый лазер 1064 нм

Компактный размер
Перестраивание частоты до 500 кГц
Дополнительно - блок внешней синхронизации

Микрочип состоит из зеркала с насыщаемым поглотителем и кристалла Nd:YVO4. Микрочип необходим для генерации лазерных импульсов длиной волны 1064 нм при накачке диодным лазером на длине волны 808 нм в режиме пассивной модуляции добротности.


Приложения

  • Микрообработка
  • ЛИДАР
  • Точные измерения
  • Перестраивание частоты
     

Пикосекундный волоконный лазер

Полный набор для учебных и лабораторных исследований
На выходе установлен брэгговский отражатель
Пикосекундный осциллятор и волоконный усилитель в комплекте

Комплект с пикосекундным лазером. С помощью комплекта для лазерного анализа PSFL1030 любой пользователь может настроить различные конфигурации пикосекундного лазера, используя зеркала с насыщаемым поглотителем (SAM) для режима пассивной синхронизации мод. Активное волокно легировано иттербием. 


Приложения

  • Измерение средней мощности лазерного излучения
  • Измерение широкополосного спонтанного излучения 
  • Измерение интенсивности

Миниатюрные зеркала и длинноволновые фильтры

Широкополосные золотые зеркала
Узкополосные и брэгговские зеркала
Длинноволновые фильтры

Маленькие зеркала и длинноволновые фильтры размерами в несколько миллиметров. Их можно установить на монокристаллических подложках GaAs. Монокристаллическая подложка с GaAs обладает хорошей теплопроводностью - 55 Вт/(м · К). 


Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции BATOP на территории РФ

Новые статьи
Лазерное восстановление поверхности отшлифованных пластин монокристаллического кремния

В данном исследовании показана возможность лазерного восстановления поверхности кремния, поврежденного грубой и тонкой алмазной шлифовкой, исследовано влияние на качество обработки пластин параметров лазерного излучения:  длительности импульса и плотности мощности.

 
Исследование эффективности переработки использованного пластика методом ИК-Фурье спектроскопии с помощью спектрометра Labor FTIR-990

Во всех аспектах повседневной жизни наблюдается ускоренный рост в потреблении пластика, так как он является дешевым, долговечным, устойчивым к коррозии, легким материалом, который не подвержен разложению и может быть легко преобразован в различные продукты.

sCMOS–камера TRC411 с усилением для визуализации излучения Черенкова дозы лучевой терапии.

Команда младшего научного сотрудника Цзя Мэнъюй из Школы точных приборов и оптоэлектронной инженерии Тяньцзиньского университета осуществила визуализацию излучения Черенкова дозы лучевой терапии с помощью научной sCMOS–камеры, разработанной компанией CISS

Фиксирование эволюции морфологии лазерно-индуцированной плазменной люминесценции с использованием sCMOS-камеры TRC411
Процесс эволюции лазерно-индуцированной плазмы (ЛИП) заключается в следующем: мощный импульсный лазер облучает образец, и на поверхности образца происходит процесс испарение → ионизация → расширение → излучение → рекомбинация за очень короткое время.
КМОП-камера TRC411: Лазерное измерение расстояния и тестирование технологии огне- и дымопроницаемой разветки

Ли Цзыцин, младший научный сотрудник Тяньцзиньского института пожарных исследований Министерства по чрезвычайным ситуациям, недавно опубликовал в журнале "Fire Science and Technology" статью под названием «Технология обнаружения огня и дыма на основе лазерного дальномера», в которой использовалась научная SCMOS-камера TRC411 с усилением, разработанная компанией CISS.

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3