Микрочип состоит из зеркала с насыщаемым поглотителем и кристалла Nd:YVO4. Микрочип необходим для генерации лазерных импульсов длиной волны 1064 нм при накачке диодным лазером на длине волны 808 нм в режиме пассивной модуляции добротности.
Приложения
Комплект с пикосекундным лазером. С помощью комплекта для лазерного анализа PSFL1030 любой пользователь может настроить различные конфигурации пикосекундного лазера, используя зеркала с насыщаемым поглотителем (SAM) для режима пассивной синхронизации мод. Активное волокно легировано иттербием.
Приложения
В статье приводится применение и основные параметры пикосекундных лазеров. Сравниваются лазеры Inngu Laser серии GXP с известными европейскими и американскими производителями.
г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3