Микрочип состоит из зеркала с насыщаемым поглотителем и кристалла Nd:YVO4. Микрочип необходим для генерации лазерных импульсов длиной волны 1064 нм при накачке диодным лазером на длине волны 808 нм в режиме пассивной модуляции добротности.
Приложения
Комплект с пикосекундным лазером. С помощью комплекта для лазерного анализа PSFL1030 любой пользователь может настроить различные конфигурации пикосекундного лазера, используя зеркала с насыщаемым поглотителем (SAM) для режима пассивной синхронизации мод. Активное волокно легировано иттербием.
Приложения
Маленькие зеркала и длинноволновые фильтры размерами в несколько миллиметров. Их можно установить на монокристаллических подложках GaAs. Монокристаллическая подложка с GaAs обладает хорошей теплопроводностью - 55 Вт/(м · К).
В статье описывается биочип, сочетающий электрод для определения концентрации фенилаланина и микрофлюидный модуль для регистрации скорости потоотделения, изготовленный с использованием лазера. Биочип используется для неинвазивного мониторинга состояния пациентов с метаболическими нарушениями.
В статье описана генерация сверхширокого плоского суперконтинуума (350-1750 нм) с одномодовым поперечным профилем в видимом диапазоне. Для накачки микроструктурированного оптического волокна используется лазер с длиной волны 1064 нм, вторая гармоника накачки генерируется непосредственно в волокне.
В статье приводится применение и основные параметры одночастотных лазеров. Сравниваются лазеры CNI серии MSL с известными европейскими и американскими производителями.
В статье описан метод генерации суперконтинуума, расширенного в видимый диапазон. За счет четырехволнового смешения накачка 1064 нм создает антистоксовы и стоксовы компоненты на 831 нм и 1478 нм. Фазовый синхронизм обеспечивается благодаря микроструктурированному мультимодальному волокну особой конструкции.
В статье описывается усовершенствование метода лазерно-водоструйной обработки: добавление коаксиально-кольцевой аргоновой струи, мгновенно очищающей отверстие от образующегося осадка. Таким образом сохраняется высокий объем абляции при создании глубоких отверстий в сложно обрабатываемых материалах.
г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3
