Главная / Библиотека / Рамановская спектроскопия «зеленой фотоники»

Рамановская спектроскопия «зеленой фотоники»

Теги рамановская спектроскопия солнечная энергетика CIGS
Рамановская спектроскопия «зеленой фотоники»

Когда большинство людей слышат фразу «зеленая фотоника», они сразу же думают о зеленых лазерных указках. Однако зеленая фотоника – это больше, чем просто лазерные лучи с длинами волн от 500 до 550 нм. Угроза нашему энергоснабжению, создаваемая исчерпанием запасов ископаемого топлива, требует обновленных инноваций в разработке технологий, которые могут поддерживать наш нынешний технологически ориентированный образ жизни. Технологии фотоники будут играть все более важную роль в этой области и уже находятся в авангарде многих глобальных инициатив, от фундаментальных исследований фотоэлектрических материалов для улавливания солнечной энергии до разработки инновационного маломощного освещения.

В компании Semrock активно участвует в этой «зеленой» революции, сотрудничая с исследовательскими лабораториями и производителями, чтобы предоставить им лучшие в своем классе оптические фильтры, отвечающие требованиям их исследований и разработок. Ниже представлена одна из ключевых областей, в которой компания Semrock играет ключевую роль: контроль солнечных элементов.

Проверка солнечных батарей с помощью рамановской спектроскопии

Конечная цель технологий сбора света, таких как солнечные батареи, состоит в том, чтобы собрать как можно больше солнечного света и эффективно преобразовать этот свет в полезное электричество. В основе современных фотоэлектрических технологий лежит разработка солнечных элементов с высокой эффективностью преобразования на основе кремния. Для достижения более высокой эффективности преобразования требуются высококристаллические, бездефектные и устойчивые к нагрузкам кремниевые пленки/слои. Однако не менее сложно использовать надежный и количественный аналитический инструмент для мониторинга и понимания того, как кремниевые материалы работают после производства.

Рамановская спектроскопия - один из таких инструментов, который широко используется при производстве солнечных элементов для контроля качества кремния, производимого для фотоэлементов. Понимание кристалличности материала имеет решающее значение для изготовления солнечных элементов из монокристаллического кремния, поскольку присутствие некристаллического кремния приводит к снижению эффективности преобразования. Рамановская спектроскопия – отличный инструмент для определения количественной оценки кристалличности кремния. В кристаллическом кремнии валентные углы, прочность связи и энергия связи очень однородны и упорядочены. В результате высококристаллический кремний имеет очень острые пики, например пик с центром при ~ 520 см-1. В некристаллическом (т.е. аморфном) кремнии валентные углы, прочность связи и энергия связи изменяются, что приводит к широким диффузным спектральным характеристикам около 480 см-1. Из измерений комбинационного рассеяния света можно построить количественную картину кристаллической фракции, исходя из отношения интенсивностей рамановских пиков I520 / I480.

З2

Рисунок 1. Понимание кристалличности в кремнии: спектры комбинационного рассеяния, измеренные в областях кремния, выявляют присутствие высококристаллического (оранжевый) и некристаллического (зеленый, голубой, красный) материала

Возможность количественного определения как теплового, так и межфазного напряжения в материалах солнечных элементов имеет решающее значение. Напряжение может значительно повлиять на эффективность преобразования в фотоэлементах. Поэтому очень важно понимать, где находятся напряжения, как они влияют на производительность электролизера и, в конечном итоге, как ими можно управлять для повышения производительности процесса. Рамановская спектроскопия обеспечивает прямое измерение напряжения (или деформации) в солнечных элементах на основе кремния путем мониторинга спектрального положения пика 520 см-1 на образце, из которого можно создать карту напряжений с субмикрометровым пространственным разрешением. В результате рамановская спектроскопия дает прямое представление об обработке солнечных элементов и предотвращает выход менее эффективных элементов из производства.

З3

Рисунок 2. Отображение напряжения в кремнии: Карта напряжений, созданная путем отслеживания положения пика комбинационного рассеяния с центром на ~ 520 см-1 из проделанного лазером отверстия в кремниевой пластине

Альтернативными и хорошо изученными материалами для солнечных элементов являются карбид кремния и диселенид галлия, индия, или CIGS (селенид меди-индия-галлия). Учитывая, что CGIS представляет собой сплав, его можно производить с различными смесями каждого отдельного компонента. Высокопроизводительная рамановская спектроскопия с использованием фильтров с резкими краями и малой шириной перехода позволяет обнаруживать низкоэнергетические колебательные моды, которые лежат намного ближе (<190 см-1) к лазерной линии, чем пик 520 см-1 от кремния. Наблюдая за пиком комбинационного рассеяния около 172 см-1, можно количественно определить концентрации индия и галлия и создать карты неоднородности сплава по всей пленке CIGS.

З4

Рисунок 3. Рамановская спектроскопия альтернативных солнечных материалов: Рамановская спектроскопия с использованием высокоэффективных краевых фильтров может использоваться для точного контроля состава сплава индия и галлия в пленках солнечных элементов из диселенида меди, индия и галлия (CIGS).

 

© Semrock

Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции Semrock на территории РФ

Теги рамановская спектроскопия солнечная энергетика CIGS
Новые статьи
Характеристика свойств субхондральной кости человека с помощью спектроскопии в ближней инфракрасной области (БИК)

Дегенеративные заболевания суставов часто характеризуются изменениями свойств суставного хряща и субхондральной кости. Эти изменения часто связаны с толщиной субхондральной пластинки и морфологией трабекулярной кости. Таким образом, оценка целостности субхондральной кости может дать важные сведения для диагностики патологий суставов. В данном исследовании изучается потенциал оптической спектроскопии для характеристики свойств субхондральной кости человека. Образцы остеохондральной кости (n = 50 – количество образцов) были извлечены из коленного сустава трупа человека (n = 13) в четырех анатомических точках и подвергнуты БИК-спектроскопии(в ближней инфракрасной области). Затем образцы были исследованы с помощью микрокомпьютерной томографии для определения морфометрических характеристик субхондральной кости, включая: толщину пластинки (Sb.Th), толщину трабекул (Tb.Th), объемную долю (BV/TV) и индекс модели структуры (SMI). Связь между свойствами субхондральной кости и спектральными данными в 1-м (650 - 950 нм), 2-м (1100 - 1350 нм) и 3-м (1600-1870 нм) оптических окнах была исследована с помощью многомерного метода частичных наименьших квадратов (PLS) регрессии. Значимые корреляции (p < 0.0001) и относительно низкие ошибки прогнозирования были получены между спектральными данными в 1-м оптическом окне и Sb.Th (R2 = 92.3%, ошибка = 7.1%), Tb.Th (R2 = 88.4%, ошибка = 6.7%), BV/TV (R2 = 83%, ошибка = 9.8%) и SMI (R2 = 79.7%, ошибка = 10.8%). Таким образом, БИК-спектроскопия в 1-м тканевом оптическом окне способна характеризовать и оценивать свойства субхондральной кости и потенциально может быть адаптирована во время артроскопии.

Моделирование нервного волокна на основе оптического волновода

Миелинизированные аксоны являются многообещающими кандидатами для передачи нервных сигналов и света ввиду их волноводных структур. С другой стороны, с появлением таких заболеваний, как рассеянный склероз и нарушений формирования и передачи нервных сигналов из-за демиелинизации, понимание свойств миелинизированного аксона как волновода приобретает большую важность. Настоящее исследование направлено на то, чтобы показать, что профиль показателя преломления (ПП) миелинизированного аксона играет существенную роль в передаче лучей в нем. 

Оптимизация обнаружения сверхслабых световых потоков

В ходе исследования, описанного в данной статье, были объединены статистическая модель, анализ шумов детектора и эксперименты по калибровке. Согласно результатам, видимый свет может быть обнаружен с помощью ПЗС камеры с электронным умножителем с соотношением сигнал/шум, равным 3, для потоков с количеством фотонов менее 30 фотонов с−1 см−2.

Диагностика импульсного плазменного потока

Импульсные плазменные потоки в плазменных ускорителях широко используются для решения ряда научных и практических задач. Особый интерес среди применений импульсных плазменных потоков представляют термоядерный синтез и астрофизические исследования, например, экспериментальное исследование взаимодействия импульсного плазменного потока с материалами.

Полные высокопроизводительные настольные системы сканирования HSI PUSH-BROOM

Применение гиперспектральной визуализации заметно расширилось за последние годы. Тем не менее, остается общая проблема, а именно: предоставление полного интегрированного решения для фиксации 2-D гиперспектральных изображений в компактном настольном формате, которое предоставляет подробную спектральную информацию для определения компонентов, количества и их распределения в плоскости сканирования.

Автофлуоресцентная микроскопия — идентификация бактериальных сигналов на образцах горных пород
Распространенным методом обнаружения микробов в жидких и нежидких образцах является окрашивание флуоресцентными красителями, при котором образцы окрашиваются флуорофором, возбуждаемым фотонами от источника света. Флуорофоры — это молекулы, которые проявляют флуоресценцию, и могут быть биомолекулами естественного происхождения (в этом случае флуоресценция называется автофлуоресценцией), флуоресцентными красителями (синтезированными молекулами) или минералами. Конкретные применения красителей включают обнаружение и перечисление бактерий, визуализацию экспрессии генов и обнаружение биомолекул, которые иначе невозможно было бы отследить.
У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3