Системы серии DISPEC предназначены для автоматизированного неразрушающего контроля дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях SiC. Комплексы обеспечивают высокоточную локализацию, идентификацию и классификацию различных типов кристаллографических дефектов.
Неразрушающий контроль SiC-пластин и эпитаксиальных слоёв
Обнаружение и классификация дефектов
Система TAU-900 предназначена для исследования динамики носителей заряда в полупроводниковых материалах методом сверхбыстрой переходной спектроскопии. Комплекс позволяет измерять время жизни неосновных носителей заряда и проводить характеризацию материалов для фотоэлектрических, оптоэлектронных и силовых полупроводниковых устройств.
Метод сверхбыстрой переходной спектроскопии
Неразрушающая характеризация образцов
Исследование полупроводниковых материалов
Наука в деталях
Фотоакустическая микроскопия (ФAM) позволяет получать высококонтрастные изображения биологических тканей. Однако ее прак...
Модуль спектроскопии насыщенного поглощения представляет собой компактную оптическую систему, предназначенную для получе...
Конфокальная лазерная сканирующая микроскопия — один из наиболее эффективных неразрушающих методов трехмерной визуализац...
АннотацияВ работе Light-induced quantum friction of carbon nanotubes in water, опубликованной в июне 2026 года в жу...
Недавно коллективом авторов университета Астона (Великобритания) в престижном высокорейтинговом журнале Nanophotonics бы...
Разработка и экспериментальное исследование перестраиваемого полупроводникового лазера, работающего в непрерывном режиме...
info@inscience.ru
+7 (495) 199-0-199
Написать в чат
Оставить заявку
Написать в чат