Главная / Новости / Исследователи разработали однофотонный излучатель с электрическим запуском

Исследователи разработали однофотонный излучатель с электрическим запуском

2

Многие технологии квантового будущего, такие как квантовая связь, преследуют труднодостижимую цель: найти материалы, которые по запросу могут излучать идентичные одиночные фотоны с четко определенными оптическими свойствами и которые могут быть интегрированы с чипами. Группа исследователей из США, Германии и Испании разработала систему, которая, по их мнению, может предложить ответ (Sci. Adv., Doi: 10.1126 / sciadv.abb5988).

Подход команды заключается в использовании дефектов в двумерном материале, дисульфиде вольфрама (WS2), в качестве отдельных источников излучения. Исследователи разработали методы создания таких дефектов с точным местоположением и ​​использовали сверхтонкий золотой наконечник сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) для ввода электронов возбуждения в эти центры атомного масштаба. Тот же золотой наконечник служил плазмонной антенной для отвода фотонов, испускаемых в результате электронного возбуждения.

Новые статьи
Методы и средства люминесцентной микроскопии

Современные тенденции развития люминесцентной микроскопии направлены, в первую очередь, на повышение разрешающей способности систем формирования изображения. Здесь к лючевую роль играют методы конфокальной и мультифотонной микроскопии.

      
Прецизионная визуализация времени жизни флуоресценции движущегося объекта

Метод временной мозаики FLIM позволяет повысить точность визуализации времени жизни флуоресценции движущихся объектов. Метод основан на записи массива (мозаики) изображений, построении и анализе векторной диаграммы мозаики с помощью специального ПО Becker & Hickl.

Выявление сверхбыстрых компонентов затухания по двухфотонной визуализации времени жизни флуоресценции спор грибов

С помощью системы Becker & Hickl DCS-120 MP со сверхбыстрыми детекторами для визуализации времени жизни флуоресценции исследуется флуоресценция спор различных видов грибов. Исследуются чрезвычайно быстрые компоненты с временем затухания 8 – 80 пс и амплитудами до 99,5% в функциях затухания.

Исследование методов улучшения адгезии проводящего слоя к диэлектрической подложке для аддитивного производства электроники

В статье исследуется, как изменения параметров в методах обработки поверхности подложек приводят к изменениям в процессах адгезии, подчеркивая особенности взаимодействия между методами обработки серной кислотой и УФ-излучением, используя изображения, полученные с помощью интерферометры белого света. 

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3