Светодиоды повышенной эффективности

Дата публикации: 30.08.2020

Группа ученых Национального института стандартов и технологий США представила проект диодного источника, конфигурация которого позволяет генерировать рекордно мощное УФ излучение. Исследователям почти удалось решить задачу затухания кривой эффективности, связанную с электрооптическим преобразованием энергии при высоких токах возбуждения. Полупроводниковый элемент состоит из пластин оксида цинка (плавников), выращенных на поверхности нитрида галлия.

NISTfinsAugust2020_3108

Новые статьи

Технология рентгенофлуоресцентного анализа (РФА)

В данной статье обозревается технология работы портативного рентгенофлуоресцентного-анализатора.

Рентгенофлуоресцентный анализ фрагмента стеклянного сосуда времен династии Сасанидов, найденного на острове Окиносима, Япония

В данной статье было определено происхождение осколка стеклянной чаши с рельефными украшениями с помощью портативного рентгенофлуоресцентного спектрометра

Медленный свет в двумерной полупроводниковой плазмонной структуре (результаты)

Продолжение статьи о двухцветном лазерном методе высокого разрешения

Медленный свет в двумерной полупроводниковой плазмонной структуре (начало)

В данной статье прокладывается путь к активным переключаемым линиям задержки и оптическим буферам, которые используют 2D-полупроводники в качестве активных элементов

Диапазон диодных лазеров расширен до желто-оранжевого!

С помощью новых разработок в области полупроводниковых усилителей и технологий удвоения частоты диапазон перестраиваемых диодных лазеров был расширен до желто-оранжевого, а их мощность в данном диапазоне была увеличена до более чем 1000 МВт

Оптическая гистология неокрашенных тканей человека в режиме отражения (результаты)

В продолжении статьи была использована система фотоакустического дистанционного зондирования с импульсным возбуждающим пучком для создания фотоакустического давления внутри образца, приводящего к модуляции показателя преломления оптического поглотителя