Группа ученых Национального института стандартов и технологий США представила проект диодного источника, конфигурация которого позволяет генерировать рекордно мощное УФ излучение. Исследователям почти удалось решить задачу затухания кривой эффективности, связанную с электрооптическим преобразованием энергии при высоких токах возбуждения. Полупроводниковый элемент состоит из пластин оксида цинка (плавников), выращенных на поверхности нитрида галлия.
г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3