Wed, May 10, 2023 1:00P EDT - состоится вебинар "Детекторы на основе фотодиодов InGaAs: корпус, производительность и SWIR-приложения"
О вебинаре:
Винс Форте из Marktech Optoelectronics сделает обзор типов детекторов InGaAs. Особое внимание он уделит типам фотодетекторов, ключевым параметрам фотодетекторов и их преимуществам в SWIR приложениях. Во-первых, он представит обзор этапов производства фотодиодов InGaAs, включая выращивание эпипластов InGaAs/InP методом химического осаждения из паровой фазы металлов, изготовление устройств, зондирование пластин, соединение кристаллов и проводов, упаковку и тестирование готовых компонентов. Оптоэлектронные характеристики фотодиодов InGaAs имеют решающее значение для выбора правильного фотодиода для конкретного приложения.
В работе предлагается технология производства источников неразличимых фотонов в телекоммуникационном С-диапазоне на основе эпитаксиальных полупроводниковых квантовых точек. Новая методика позволяет детерминировано интегрировать квантовые излучатели в микрорезонаторы из кольцевых брэгговских решёток.
В статье описывается адаптация научной КМОП камеры Tucsen с обратной засветкой с целью улучшения возможностей регистрации когерентного рассеяния мягкого рентгеновского излучения.
В работе представлено два возможных варианта использования источников суперконтинуума: в качестве источника зондирующего излучения для оптической когерентной томографии и в качестве источника возбуждения для флуоресцентной кросс-корреляционной спектроскопии.
В работе реализован протокол BB84 с твердотельным источником одиночных фотонов на основе атомарно тонких слоев WSe2, выделяющийся простотой изготовления и настройки свойств. Система конкурентоспособна в сравнении с передовыми решениями, а с внедрением улучшений в виде микрорезонаторов может превзойти их.
В статье описывается метод широкопольной квантовой микроскопии с пространственным разрешением 1,4 мкм, основанный на схеме с симметричными плечами холостых и сигнальных фотонов. Преимущества метода: высокие скорость, отношение сигнал/шум и устойчивость к рассеянному свету в сравнении с аналогичными методами квантовой визуализации.
г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3
