Wed, May 10, 2023 1:00P EDT - состоится вебинар "Детекторы на основе фотодиодов InGaAs: корпус, производительность и SWIR-приложения"
О вебинаре:
Винс Форте из Marktech Optoelectronics сделает обзор типов детекторов InGaAs. Особое внимание он уделит типам фотодетекторов, ключевым параметрам фотодетекторов и их преимуществам в SWIR приложениях. Во-первых, он представит обзор этапов производства фотодиодов InGaAs, включая выращивание эпипластов InGaAs/InP методом химического осаждения из паровой фазы металлов, изготовление устройств, зондирование пластин, соединение кристаллов и проводов, упаковку и тестирование готовых компонентов. Оптоэлектронные характеристики фотодиодов InGaAs имеют решающее значение для выбора правильного фотодиода для конкретного приложения.
В статье описывается биочип, сочетающий электрод для определения концентрации фенилаланина и микрофлюидный модуль для регистрации скорости потоотделения, изготовленный с использованием лазера. Биочип используется для неинвазивного мониторинга состояния пациентов с метаболическими нарушениями.
В статье описана генерация сверхширокого плоского суперконтинуума (350-1750 нм) с одномодовым поперечным профилем в видимом диапазоне. Для накачки микроструктурированного оптического волокна используется лазер с длиной волны 1064 нм, вторая гармоника накачки генерируется непосредственно в волокне.
В статье приводится применение и основные параметры одночастотных лазеров. Сравниваются лазеры CNI серии MSL с известными европейскими и американскими производителями.
В статье описан метод генерации суперконтинуума, расширенного в видимый диапазон. За счет четырехволнового смешения накачка 1064 нм создает антистоксовы и стоксовы компоненты на 831 нм и 1478 нм. Фазовый синхронизм обеспечивается благодаря микроструктурированному мультимодальному волокну особой конструкции.
В статье описывается усовершенствование метода лазерно-водоструйной обработки: добавление коаксиально-кольцевой аргоновой струи, мгновенно очищающей отверстие от образующегося осадка. Таким образом сохраняется высокий объем абляции при создании глубоких отверстий в сложно обрабатываемых материалах.
г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3
