Импульсные диодные лазеры NKT Photonics

Линейка импульсных диодных лазеров PILAS небольшого размера с переключением обеспечивает генерацию импульсов с пикосекундной длительностью и подходит как для научных, так и для промышленных приложений. Лазеры PILAS доступны с длинами волн в диапазоне 375 – 1060 нм, они являются универсальными и характеризуются низким уровнем искажения сигналов.

Пикосекундный лазер PILAS

Низкий фазовый шум

Пиковая мощность до 400 мВт

Компактный корпус

Универсальные пикосекундные импульсные диодные лазеры, предназначенные как для промышленного, так и для научного применения, доступны на 10 различных длинах волн с частотой повторения импульсов до 40 МГц с внутренним или внешним триггером. Лазеры PILAS легко запускаются от внешнего источника питания и могут работать с переключением усиления, что позволяет генерировать оптические импульсы длительностью от 45 пс до 110 пс с ультранизким временным искажением сигналов (среднеквадратическое отклонение < 3 пс). Пиковая мощность излучения лазеров PILAS варьируется от 60 мВт до 400 мВт в диапазоне длин волн от 375 до 1060 нм в зависимости от выбранной версии.

Технические параметры

Длина волны

375 - 1060 нм

Ширина импульса

45 - 50 пс

Пиковая мощность

100 - 400 мВт

Максимальная средняя мощность

0.5 - 1 мВт

Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции NKT Photonics на территории РФ

Новые статьи

Рентгенофлуоресцентный анализ фрагмента стеклянного сосуда времен династии Сасанидов, найденного на острове Окиносима, Япония

В данной статье было определено происхождение осколка стеклянной чаши с рельефными украшениями с помощью портативного рентгенофлуоресцентного спектрометра

Медленный свет в двумерной полупроводниковой плазмонной структуре (результаты)

Продолжение статьи о двухцветном лазерном методе высокого разрешения

Медленный свет в двумерной полупроводниковой плазмонной структуре (начало)

В данной статье прокладывается путь к активным переключаемым линиям задержки и оптическим буферам, которые используют 2D-полупроводники в качестве активных элементов

Диапазон диодных лазеров расширен до желто-оранжевого!

С помощью новых разработок в области полупроводниковых усилителей и технологий удвоения частоты диапазон перестраиваемых диодных лазеров был расширен до желто-оранжевого, а их мощность в данном диапазоне была увеличена до более чем 1000 МВт

Оптическая гистология неокрашенных тканей человека в режиме отражения (результаты)

В продолжении статьи была использована система фотоакустического дистанционного зондирования с импульсным возбуждающим пучком для создания фотоакустического давления внутри образца, приводящего к модуляции показателя преломления оптического поглотителя

Оптическая гистология неокрашенных тканей человека в режиме отражения (установка и пробоподготовка)

В данной статье представлено описание микроскопии для бесконтактной безмаркерной визуализации морфологии клеток человека с помощью аппарата в отражательном режиме