Главная / Производители / NKT Photonics / Импульсные диодные лазеры NKT Photonics

Импульсные диодные лазеры NKT Photonics

логотип1-LtvGT4O-3-transformed

Линейка импульсных диодных лазеров PILAS небольшого размера с переключением обеспечивает генерацию импульсов с пикосекундной длительностью и подходит как для научных, так и для промышленных приложений. Лазеры PILAS доступны с длинами волн в диапазоне 375 – 1060 нм, они являются универсальными и характеризуются низким уровнем искажения сигналов.

Пикосекундный лазер PILAS

Низкий фазовый шум
Пиковая мощность до 400 мВт
Компактный корпус

Универсальные пикосекундные импульсные диодные лазеры, предназначенные как для промышленного, так и для научного применения, доступны на 10 различных длинах волн с частотой повторения импульсов до 40 МГц с внутренним или внешним триггером. Лазеры PILAS легко запускаются от внешнего источника питания и могут работать с переключением усиления, что позволяет генерировать оптические импульсы длительностью от 45 пс до 110 пс с ультранизким временным искажением сигналов (среднеквадратическое отклонение < 3 пс). Пиковая мощность излучения лазеров PILAS варьируется от 60 мВт до 400 мВт в диапазоне длин волн от 375 до 1060 нм в зависимости от выбранной версии.


Технические параметры
Длина волны
375 - 1060 нм
Ширина импульса
45 - 50 пс
Пиковая мощность
100 - 400 мВт
Максимальная средняя мощность
0.5 - 1 мВт

Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции NKT Photonics на территории РФ

Новые статьи
3D-печатный с использованием фемтосекундного лазера микрообъектив для ультратонкого волоконного эндоскопа

Наиболее важным оптическим компонентом волоконно-оптического эндоскопа является объектив. Поэтому разработка ультракомпактного объектива является залогом создания ультратонкого волоконно-оптического эндоскопа с высоким качеством визуализации.

Лазерное восстановление поверхности отшлифованных пластин монокристаллического кремния

В данном исследовании показана возможность лазерного восстановления поверхности кремния, поврежденного грубой и тонкой алмазной шлифовкой, исследовано влияние на качество обработки пластин параметров лазерного излучения:  длительности импульса и плотности мощности.

 
Исследование эффективности переработки использованного пластика методом ИК-Фурье спектроскопии с помощью спектрометра Labor FTIR-990

Во всех аспектах повседневной жизни наблюдается ускоренный рост в потреблении пластика, так как он является дешевым, долговечным, устойчивым к коррозии, легким материалом, который не подвержен разложению и может быть легко преобразован в различные продукты.

sCMOS–камера TRC411 с усилением для визуализации излучения Черенкова дозы лучевой терапии.

Команда младшего научного сотрудника Цзя Мэнъюй из Школы точных приборов и оптоэлектронной инженерии Тяньцзиньского университета осуществила визуализацию излучения Черенкова дозы лучевой терапии с помощью научной sCMOS–камеры, разработанной компанией CISS

Фиксирование эволюции морфологии лазерно-индуцированной плазменной люминесценции с использованием sCMOS-камеры TRC411

Процесс эволюции лазерно-индуцированной плазмы (ЛИП) заключается в следующем: мощный импульсный лазер облучает образец, и на поверхности образца происходит процесс испарение → ионизация → расширение → излучение → рекомбинация за очень короткое время.

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3