Главная / Производители / MetaLaser / Q-switch кристаллы MetaLaser

Q-switch кристаллы MetaLaser

logo55607

Co:Spinel
Подходит для безопасных для глаз лазеров с длиной волны 1540 нм
Первоночальное пропускание 30%-90%
Порог повреждения >500 МВт/см2
Просветляющее / высокоотражающее покрытия

Пассивные поглотители с регулируемой добротностью или насыщаемые поглотители генерируют мощные лазерные импульсы без использования электрооптических переключателей. Таким образом, размер устройства становится более компактным, не требуется источник внешнего напряжения. Шпинель - твердый, стабильный кристалл, применяемый при полировке. Кобальт легко замещает магний в матрице шпинели без необходимости в дополнительных компенсирующих ионах.


V: YAG
Чрезвычайно высокое поглощение в основном состоянии
Высокая контрастность Q-switch
Порог повреждения >500 МВт/см2

Кристаллы V:YAG - инновационная разработка для пассивных лазеров с модуляцией добротности. Генерация излучения происходит в диапазоне 1064 - 1440 нм. В основном используется в качестве активной среды, поскольку обладает непревзойденными механическими характеристиками: термостойкий и прочный. Выращивается по методу Чохральского.


Cr: YAG
Высокая теплопроводность
Высокий порог повреждения >500 МВт/см2
Просветляющее / высокоотражающее покрытия

Кристаллы Cr4+:YAG - также инновационная разработка для пассивных лазеров с модуляцией добротности. Генерация излучения происходит в диапазоне 900 - 1200 нм и 1350 - 1600 нм. Вещество - лучший насыщаемый поглотитель излучения лазеров на основе кристаллов, легированных неодимом и иттербием.


Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции MetaLaser на территории РФ

Новые статьи
Лазерное ударное упрочнение (LSP) с использованием лазеров Litron

В статье рассматриваются перспективы применения лазерного ударного упрочнения для улучшения эксплуатационных характеристик высококачественной керамики. Для проведения эксперимента используется излучение высокой энергии 2-й, 3-ей и 4-ой гармоник наносекундного Nd:YAG лазера Litron LPY10J.

Методы и средства люминесцентной микроскопии

Современные тенденции развития люминесцентной микроскопии направлены, в первую очередь, на повышение разрешающей способности систем формирования изображения. Здесь к лючевую роль играют методы конфокальной и мультифотонной микроскопии.

      
Прецизионная визуализация времени жизни флуоресценции движущегося объекта

Метод временной мозаики FLIM позволяет повысить точность визуализации времени жизни флуоресценции движущихся объектов. Метод основан на записи массива (мозаики) изображений, построении и анализе векторной диаграммы мозаики с помощью специального ПО Becker & Hickl.

Выявление сверхбыстрых компонентов затухания по двухфотонной визуализации времени жизни флуоресценции спор грибов

С помощью системы Becker & Hickl DCS-120 MP со сверхбыстрыми детекторами для визуализации времени жизни флуоресценции исследуется флуоресценция спор различных видов грибов. Исследуются чрезвычайно быстрые компоненты с временем затухания 8 – 80 пс и амплитудами до 99,5% в функциях затухания.

Исследование методов улучшения адгезии проводящего слоя к диэлектрической подложке для аддитивного производства электроники

В статье исследуется, как изменения параметров в методах обработки поверхности подложек приводят к изменениям в процессах адгезии, подчеркивая особенности взаимодействия между методами обработки серной кислотой и УФ-излучением, используя изображения, полученные с помощью интерферометры белого света. 

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3