Главная / Производители / MetaLaser / Q-switch кристаллы MetaLaser

Q-switch кристаллы MetaLaser

logo55607

Co:Spinel
Подходит для безопасных для глаз лазеров с длиной волны 1540 нм
Первоночальное пропускание 30%-90%
Порог повреждения >500 МВт/см2
Просветляющее / высокоотражающее покрытия

Пассивные поглотители с регулируемой добротностью или насыщаемые поглотители генерируют мощные лазерные импульсы без использования электрооптических переключателей. Таким образом, размер устройства становится более компактным, не требуется источник внешнего напряжения. Шпинель - твердый, стабильный кристалл, применяемый при полировке. Кобальт легко замещает магний в матрице шпинели без необходимости в дополнительных компенсирующих ионах.


V: YAG
Чрезвычайно высокое поглощение в основном состоянии
Высокая контрастность Q-switch
Порог повреждения >500 МВт/см2

Кристаллы V:YAG - инновационная разработка для пассивных лазеров с модуляцией добротности. Генерация излучения происходит в диапазоне 1064 - 1440 нм. В основном используется в качестве активной среды, поскольку обладает непревзойденными механическими характеристиками: термостойкий и прочный. Выращивается по методу Чохральского.


Cr: YAG
Высокая теплопроводность
Высокий порог повреждения >500 МВт/см2
Просветляющее / высокоотражающее покрытия

Кристаллы Cr4+:YAG - также инновационная разработка для пассивных лазеров с модуляцией добротности. Генерация излучения происходит в диапазоне 900 - 1200 нм и 1350 - 1600 нм. Вещество - лучший насыщаемый поглотитель излучения лазеров на основе кристаллов, легированных неодимом и иттербием.


Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции MetaLaser на территории РФ

Новые статьи
3D-печатный с использованием фемтосекундного лазера микрообъектив для ультратонкого волоконного эндоскопа

Наиболее важным оптическим компонентом волоконно-оптического эндоскопа является объектив. Поэтому разработка ультракомпактного объектива является залогом создания ультратонкого волоконно-оптического эндоскопа с высоким качеством визуализации.

Лазерное восстановление поверхности отшлифованных пластин монокристаллического кремния

В данном исследовании показана возможность лазерного восстановления поверхности кремния, поврежденного грубой и тонкой алмазной шлифовкой, исследовано влияние на качество обработки пластин параметров лазерного излучения:  длительности импульса и плотности мощности.

 
Исследование эффективности переработки использованного пластика методом ИК-Фурье спектроскопии с помощью спектрометра Labor FTIR-990

Во всех аспектах повседневной жизни наблюдается ускоренный рост в потреблении пластика, так как он является дешевым, долговечным, устойчивым к коррозии, легким материалом, который не подвержен разложению и может быть легко преобразован в различные продукты.

sCMOS–камера TRC411 с усилением для визуализации излучения Черенкова дозы лучевой терапии.

Команда младшего научного сотрудника Цзя Мэнъюй из Школы точных приборов и оптоэлектронной инженерии Тяньцзиньского университета осуществила визуализацию излучения Черенкова дозы лучевой терапии с помощью научной sCMOS–камеры, разработанной компанией CISS

Фиксирование эволюции морфологии лазерно-индуцированной плазменной люминесценции с использованием sCMOS-камеры TRC411

Процесс эволюции лазерно-индуцированной плазмы (ЛИП) заключается в следующем: мощный импульсный лазер облучает образец, и на поверхности образца происходит процесс испарение → ионизация → расширение → излучение → рекомбинация за очень короткое время.

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3