Главная / Производители / EOT / Лазерные кристаллы ЕОТ

Лазерные кристаллы ЕОТ

EOT-Logo-860x280

Лазерный кристалл CTH:YAG

Высокое качество
Эффективность
Различные концентрации добавок
Точная массовая доля компонентов
Скрепленные стержни

EOT занимается выращиванием кристаллов алюмоиттриевого граната на протяжении 30 лет. За это время качество и технология разработки заметно модифицировалась, кристаллы стали использовать в лазерах, излучающих на длине волны 2.1 мкм. Высококачественные лазерные кристаллы широко применяются в лазерах с диодной накачкой, в лазерах с модуляцией добротности, работающих как в импульсном, так и в непрерывном режиме.


Лазерный кристалл Nd:YAG

Высокое качество
Эффективность
Различные концентрации добавок
Точная массовая доля компонентов
Скрепленные стержни

EOT занимается выращиванием кристаллов алюмоиттриевого граната для использования в лазерах средней и высокой мощности. Основное применение таких кристаллов - генерация непрерывного или импульсного излучения в лазерах с диодной накачкой и лазерах с модуляцией добротности. 


Лазерный кристалл Yb:YAG

Высокое качество
Широкий диапазон размеров
Блоки, стержни и диски
Крупногабаритные кристаллы
Скрепленные стержни

EOT выращивает кристаллы алюмоиттриевого граната для применения в лазерах средней и высокой мощности, излучающих на длине волны 1030 нм. Кристаллы Yb:YAG используются для генерации излучения в высокомощных пикосекундных лазерах и лазерах с диодной накачкой.


Лазерный кристалл Yb:CALGO

Высокое пропускание
Широкий диапазон перестройки
Дополнительные блоки и стержни
Доступны оптические покрытия

EOT выращивает кристаллы оксида гадолиния кальция, легированного иттербием, который используются в ультрабыстрых лазерах средней и высокой мощности. Кристаллы отличаются низким поглощением и высоким пропусканием, а потому являются непревзойденными лидерами на рынке. Кристаллы Yb:CALGO активно применяются в лазерной обработке материалов.


Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции ЕОТ на территории РФ

Новые статьи
Методы и средства люминесцентной микроскопии

Современные тенденции развития люминесцентной микроскопии направлены, в первую очередь, на повышение разрешающей способности систем формирования изображения. Здесь к лючевую роль играют методы конфокальной и мультифотонной микроскопии.

      
Прецизионная визуализация времени жизни флуоресценции движущегося объекта

Метод временной мозаики FLIM позволяет повысить точность визуализации времени жизни флуоресценции движущихся объектов. Метод основан на записи массива (мозаики) изображений, построении и анализе векторной диаграммы мозаики с помощью специального ПО Becker & Hickl.

Выявление сверхбыстрых компонентов затухания по двухфотонной визуализации времени жизни флуоресценции спор грибов

С помощью системы Becker & Hickl DCS-120 MP со сверхбыстрыми детекторами для визуализации времени жизни флуоресценции исследуется флуоресценция спор различных видов грибов. Исследуются чрезвычайно быстрые компоненты с временем затухания 8 – 80 пс и амплитудами до 99,5% в функциях затухания.

Исследование методов улучшения адгезии проводящего слоя к диэлектрической подложке для аддитивного производства электроники

В статье исследуется, как изменения параметров в методах обработки поверхности подложек приводят к изменениям в процессах адгезии, подчеркивая особенности взаимодействия между методами обработки серной кислотой и УФ-излучением, используя изображения, полученные с помощью интерферометры белого света. 

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3