LEUKOS

Микрочиповые лазеры
Источники одиночных субнаносекундных импульсов для промышленных и научных приложений
О компании

Horus leukos company

Компания LEUKOS была создана в феврале 2006 года во Франции на базе Университета Лиможа и исследовательского института XLIM, смешанного исследовательского подразделения (UMR 7252) французского Национального центра научных исследований.

Первоначально компания была производителем только лазерных источников суперконтинуума, но в 2013 году LEUKOS расширил свои технологические возможности, приобретя HORUS LASER, французскую компанию, специализирующуюся на субнаносекундных лазерах на микрочипах.

HORUS LASER предлагает линейку микрочиповых лазеров с длинами волн 532 и 1064 нм и по индивидуальному запросу может поставить источники 355 и 266 нм. Команда инженеров HORUS LASER активно тестирует конфигурации лазеров под заказ для предоставления наилучших технических решений своим клиентам.

 

HLX-G Микрочиповые лазеры
Пассивная модуляция добротности
Запатентованный дизайн микрочипа
Субнаносекундные импульсы (от 500 пс до 1 нс) на длине волны 532 нм
Чистый импульс (без случайной генерации вторичных импульсов)
Частота повторения до 50 кГц
Средняя мощность до 200 мВт
Пиковая мощность до 15 кВт
Внешний запуск
Электронный блок питания с аналоговым или числовым программным управлением
Индивидуальный блок управления пространственным перемещением излучения: по запросу

Линейка HLX-G основана на твердотельном лазере с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности. Благодаря  запатентованной конструкции компании лазеры генерируют одиночный импульс на длине волны 532 нм с длительностью всего 500 пс, частотой повторения до 100 кГц, средней мощностью до 200 мВт и энергией до 20 мкДж. Чрезвычайно надежная и прочная конструкция микрочипа идеально подходит для передовых промышленных и научных приложений. Компактный дизайн позволяет интегрировать лазер практически в любую систему.

Приложения:

• Детектирование света и измерение дальности (LIDAR)
• Науки об атмосфере
• Биофотоника
• Обнаружение биологической опасности
• Матрично-активированная лазерная десорбция/ионизация 
• Микродиссекция
• Лазерно-индуцированная флуоресценция
• Спектроскопия лазерного пробоя (LIBS)
• Рамановская спектроскопия
• Микрообработка
• Маркировка драгоценных камней


HLX-I Микрочиповые лазеры
Пассивная модуляция добротности
Запатентованный дизайн микрочипа
Субнаносекундные импульсы (от 450 пс до 2 нс) на длине волны 1064 нм
Чистый импульс (без случайной генерации вторичных импульсов)
Частота повторения до 100 кГц
Средняя мощность до 500 мВт
Пиковая мощность до 30 кВт
Электронный блок питания с аналоговым или числовым программным управлением
Индивидуальный блок управления пространственным перемещением излучения может быть разработан по Вашему запросу

Серия HLX-I основана на твердотельном лазере с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности. Благодаря запатентованной конструкции наши лазеры генерируют одиночный импульс на длине волны 1064 нм с длительностью всего 450 пс, частотой повторения до 100 кГц, средней мощностью до 500 мВт и энергией до 50 мкДж. Чрезвычайно надежная и прочная конструкция микрочипа идеально подходит для передовых промышленных и научных приложений. Благодаря компактному размеру лазеры этой серии подходят для интеграции практически в любую систему.

Приложения:

• Микрообработка
• Лазерная затравка для усиления волокна
• Детектирование света и измерение дальности (LIDAR)
• 3D сканирование
• 3D-изображения
• Биофотоника
• Накачка когерентным антистоксовым комбинационным рассеянием (CARS pumping)
• Контроль загрязнения
• Науки об атмосфере
• Маркировка драгоценных камней
• Генерация суперконтинуума


Ultra Compact Микрочиповые лазеры
Пассивная модуляция добротности
Запатентованный дизайн микрочипа
Легкий, компактный и герметичный корпус
Вес лазерной головки менее 100 г
Чистый импульс (без случайной генерации вторичных импульсов)
Частота повторения до 30 кГц
Внешний запуск
Воздушное охлаждением
Индивидуальный блок управления пространственным перемещением излучения: по запросу

Линейка Ultra Compact основана на твердотельном лазере с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности. Благодаря запатентованной конструкции лазеры генерируют одиночный наносекундный импульс на длине волны 1064 нм или 532 нм с энергией до 18 мкДж. Чрезвычайно надежная и прочная конструкция микрочипа идеально подходит для передовых промышленных и научных приложений. Благодаря сверхкомпактному дизайну лазеры этой серии подходят для интеграции практически в любую систему.

Приложения:

• Микрообработка
• Детектирование света и измерение дальности (LIDAR)
• Биофотоника
• Контроль загрязнения


Компания INSCIENCE помогает своим заказчикам решать любые вопросы и потребности по продукции Leukos на территории РФ

Новые статьи
Рентгенофлуоресцентный анализ фрагмента стеклянного сосуда времен династии Сасанидов, найденного на острове Окиносима, Япония

В данной статье было определено происхождение осколка стеклянной чаши с рельефными украшениями с помощью портативного рентгенофлуоресцентного спектрометра

Диапазон диодных лазеров расширен до желто-оранжевого!

С помощью новых разработок в области полупроводниковых усилителей и технологий удвоения частоты диапазон перестраиваемых диодных лазеров был расширен до желто-оранжевого, а их мощность в данном диапазоне была увеличена до более чем 1000 МВт

Оптическая гистология неокрашенных тканей человека в режиме отражения (результаты)

В продолжении статьи была использована система фотоакустического дистанционного зондирования с импульсным возбуждающим пучком для создания фотоакустического давления внутри образца, приводящего к модуляции показателя преломления оптического поглотителя

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3