Inngu Laser

Inngu Laser
Разработка и производство фемтосекундных, пикосекундных, субнаносекундных и наносекундных твердотельных лазеров с диодной накачкой
Лазеры для обработки материалов
Прецизионная резка печатных плат, производство мобильных телефонов, резка полупроводников и стекла, 3D-лазерная печать, солнечные элементы
О компании

Снимок экрана 2023-10-15 в 22.00.43

Inngu Laser — высокотехнологичная компания, занимающаяся исследованиями и разработками, производством и продажей лазерного оборудования. Было получено более 20 патентов, а также титул “Национальное высокотехнологичное предприятие”, награды от Цзянсуского университета науки и технологий, Частного технологического предприятия Цзянсу, Титул “Ведущих специалистов в области науки и технологий” в Индустриальном парке Сучжоу с момента его основания в 2013 году. Inngu Laser располагает первоклассным международным центром технических исследований, сверхчистой лабораторией класса 100 и мастерской, а также передовой командой исследований и разработок, состоящей из профессиональных докторов наук и экспертов в области оптики, электроники, программного обеспечения, механики и т. д.

Фемтосекундные, пикосекундные, субнаносекундные и наносекундные твердотельные лазеры с диодной накачкой производства Inngu Laser в основном используются для таких применений, как прецизионная резка печатных плат, производство мобильных телефонов, резка полупроводников и стекла, 3D-лазерная печать, солнечные элементы и так далее. Компания стремится к концепции технологических инноваций, взаимовыгодного сотрудничества, честности и эффективности, а также первоклассного обслуживания, чтобы обеспечить качественный сервис для каждого клиента. Кроме того, Inngu Laser намерены совместно со своими партнерами внести вклад в развитие лазерных высоких технологий.

Ультрафиолетовый фемтосекундный лазер

Длина волны 343 нм
Мощность от 5 до 30 Вт
Длительность импульса от 400 фс
Качество пучка: M²<1,3

Основное применение данных лазеров: резка OLED, резка полупроводниковых пластин, резка пленок и фольги, обработка гибких схем и материалов с низкой диэлектрической проницаемостью.


Спецификация  

Зеленый фемтосекундный лазер

Длина волны 515 нм
Мощность от 10 до 40 Вт
Длительность импульса от 400 фс
Качество пучка M²<1,3

Благодаря данному лазеру можно решить многие задачи: резка полимеров, резка FPC, резка и упаковка интегральных схем, резка пластин, производство медицинского оборудования, резка и деформация тонкой металлической фольги.


Спецификация  

Инфракрасный фемтосекундный лазер

Длина волны 1030 нм
Мощность от 20 до 100 Вт
Длительность импульса от 400 фс
Качество пучка M²<1,3

Инфракрасные фемтосекундные лазеры используются в таких отраслях как: резка OLED, резка и сварка стекла, резка пленки, резка и упаковка интегральных схем, производство медицинского оборудования и т. д.


Спецификация  

Ультрафиолетовый пикосекундный лазер

Длина волны 355 нм
Мощность от 5 до 90 Вт
Длительность импульса <15 пс
Качество пучка: M²<1,3

Ультрафиолетовые пикосекундные лазеры предназначены для использования в передовых областях точной лазерной обработки твердых и хрупких материалов, таких как стекло, сапфир, OLED и керамика


Спецификация  

Зеленый пикосекундный лазер

Длина волны 532 нм
Мощность от 10 до 200 Вт
Длительность импульса <15 пс
Качество пучка: M²<1,3

Данный тип лазеров требуется для полупроводниковой и фотоэлектрической промышленности, обработки высокомолекулярных материалов и науки о жизни.


Спецификация  

Инфракрасный пикосекундный лазер

Длина волны 1064 нм
Мощность от 3 до 300 Вт
Длительность импульса <15 пс
Качество пучка: M²<1,3

Инфракрасные пикосекундные лазеры используются в различных областях высокоточной промышленности и научных исследованиях.


Спецификация  

Ультрафиолетовый субнаносекундный лазер

Длина волны 355 нм
Мощность от 3 до 20 Вт
Регулируемая длительность импульса 500 пс - 200 нс
Качество пучка: M²<1,3

Области применения данного лазера: микрообработка и производство, лазерная медицина и диагностика, нелинейная оптика и другие области научных исследований.


Спецификация  

Зеленый субнаносекундный лазер

Длина волны 532 нм
Мощность от 5 до 30 Вт
Регулируемая длительность импульса 500 пс - 200 нс
Качество пучка: M²<1,3

Зеленый субнаносекундный лазер применяется в микрообработке, точном сверлении, лазерных радарах, лазерной искровой спектроскопии и медицинских исследованиях.


Спецификация  

Инфракрасный субнаносекундный лазер

Длина волны 1064 нм
Мощность от 10 до 100 Вт
Регулируемая длительность импульса 500 пс - 200 нс
Качество пучка: M²<1,3

Инфракрасные субнаносекундные лазеры используются для микрообработки, лазерный радар и лазерная локация, мониторинг загрязнения, маркировка и резка чрезвычайно твердых материалов (таких как алмазы).


Спецификация  

Ультрафиолетовый наносекундный лазер

Длина волны 355 нм
Мощность от 3 до 50 Вт

Данный тип лазеров нужен для точной лазерной обработки, лазерной резки, 3D-печати, биомедицинских исследованиях, обработки упаковки пищевых продуктов и мониторинга воздуха.


Спецификация  

Зеленый наносекундный лазер

Длина волны 532 нм
Мощность от 10 до 60 Вт

Зеленый наносекундный лазер используется в резке, маркировке и скрайбировании печатных плат, а также в онлайн-маркировке труб.


Спецификация  

Инфракрасный наносекундный лазер

Длина волны 1064 нм
Мощность от 10 до 50 Вт

Инфракрасный наносекундный лазер используется в научных исследованиях, приборостроении и прецизионной обработке материалов.


Спецификация  

Компания INSCIENCE является официальным дистрибьютором продукции Inngu Laser на территории РФ

Новые статьи
Стабильность мощности лазеров Precilasers с частотным преобразованием
В статье описывается схема стабилизации мощности одночастотных лазеров с использованием замкнутого контура отрицательной обратной связи. Схема позволяет достичь стабильности <3% в условиях высоких и низких температур для лазеров Precilasers с удвоением частоты.
Высокопроизводительные источники неразличимых фотонов в телекоммуникационном C-диапазоне

В работе предлагается технология производства источников неразличимых фотонов в телекоммуникационном С-диапазоне на основе эпитаксиальных полупроводниковых квантовых точек. Новая методика позволяет детерминировано интегрировать квантовые излучатели в микрорезонаторы из кольцевых брэгговских решёток.

Исследование характеристик КМОП-камеры с обратной засветкой для регистрации когерентного рассеяния мягкого рентгеновского излучения

В статье описывается адаптация научной КМОП камеры Tucsen с обратной засветкой с целью улучшения возможностей регистрации когерентного рассеяния мягкого рентгеновского излучения.

Генераторы суперконтинуума для задач оптической когерентной томографии и флуоресцентной кросс-корреляционной спектроскопии

В работе представлено два возможных варианта использования источников суперконтинуума: в качестве источника зондирующего излучения для оптической когерентной томографии и в качестве источника возбуждения для флуоресцентной кросс-корреляционной спектроскопии.

Источник одиночных фотонов на основе монослоев WSe2 для квантовой коммуникации

В работе реализован протокол BB84 с твердотельным источником одиночных фотонов на основе атомарно тонких слоев WSe2, выделяющийся простотой изготовления и настройки свойств. Система конкурентоспособна в сравнении с передовыми решениями, а с внедрением улучшений в виде микрорезонаторов может превзойти их.

Квантовая микроскопия клеток с разрешением на пределе Гейзенберга

В статье описывается метод широкопольной квантовой микроскопии с пространственным разрешением 1,4 мкм, основанный на схеме с симметричными плечами холостых и сигнальных фотонов. Преимущества метода: высокие скорость, отношение сигнал/шум и устойчивость к рассеянному свету в сравнении с аналогичными методами квантовой визуализации.

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3