Главная / Производители / Synrad / Аксессуары Synrad / Источники питания постоянного тока

Источники питания постоянного тока

Источники питания постоянного тока

Для работы всех лазеров Synrad требуется хорошо отрегулированный источник постоянного тока. Для каждой модели CO2-лазера предлагается соответствующий источник постоянного тока, обычно это импульсный источник питания, производимый Power One, Emerson или XP Power.

Техническая спецификация

Модель

DC-1

PS-30-750

PS-6

Выход

30 В при 8 А

30 В при 25 А

30 В при 50 А

1Ø: Напряжение, В

85 - 264

85 - 264

90 - 264

1Ø: Ток при 110 В, А

2.5

7.5

15

1Ø: Ток при 110 В, А

1.3

3.7

8

Совместимые лазеры Synrad

48-1

48-2, v30, v40

48-5

Документация

Data Sheet

Data Sheet

Data Sheet

Модель

PS-48

PS-401

PS-48-4000

PS-48-12000

Выход

48 В при 50 А

48 В при 145 А

48 В при 83 А

48 В при 250 А

1Ø: Напряжение, В

185 - 264

н/д

180 - 264

н/д

1Ø: Ток при 110 В, А

13

н/д

22

н/д

3Ø: Напряжение

н/д

180 - 264, 342 - 528

180 - 264

180 - 264

3Ø: Ток при 208 В, А

н/д

23

16

32

3Ø: Ток при 440 В, А

н/д

11

н/д

н/д

Совместимые лазеры Synrad

vi30, vi40, ti60, ti80, ti100, p100

i401, p250

p150

p400

Документация

Data Sheet

Data Sheet

Data Sheet

Data Sheet

Модель

PS-96

Выход

96 В при 47 А

1Ø: Напряжение, В

208-264

1Ø: Ток при 110 В, А

24

3Ø: Напряжение

105-264

3Ø: Ток при 208 В, А

15

Совместимые лазеры Synrad

f201

Документация

Data Sheet

Новые статьи
Лазерно-водоструйное скрайбирование кремния

Задача создания микроструктур с большим соотношением глубины и ширины в кремниевых подложках актуальна для производства МЭМС. Технология лазерно-водоструйного скрайбирования продемонстрировала возможность создания глубоких канавок с низкой конусностью в кремнии.

3D-печатный с использованием фемтосекундного лазера микрообъектив для ультратонкого волоконного эндоскопа

Наиболее важным оптическим компонентом волоконно-оптического эндоскопа является объектив. Поэтому разработка ультракомпактного объектива является залогом создания ультратонкого волоконно-оптического эндоскопа с высоким качеством визуализации.

Лазерное восстановление поверхности отшлифованных пластин монокристаллического кремния

В данном исследовании показана возможность лазерного восстановления поверхности кремния, поврежденного грубой и тонкой алмазной шлифовкой, исследовано влияние на качество обработки пластин параметров лазерного излучения:  длительности импульса и плотности мощности.

 
Исследование эффективности переработки использованного пластика методом ИК-Фурье спектроскопии с помощью спектрометра Labor FTIR-990

Во всех аспектах повседневной жизни наблюдается ускоренный рост в потреблении пластика, так как он является дешевым, долговечным, устойчивым к коррозии, легким материалом, который не подвержен разложению и может быть легко преобразован в различные продукты.

sCMOS–камера TRC411 с усилением для визуализации излучения Черенкова дозы лучевой терапии.

Команда младшего научного сотрудника Цзя Мэнъюй из Школы точных приборов и оптоэлектронной инженерии Тяньцзиньского университета осуществила визуализацию излучения Черенкова дозы лучевой терапии с помощью научной sCMOS–камеры, разработанной компанией CISS

Фиксирование эволюции морфологии лазерно-индуцированной плазменной люминесценции с использованием sCMOS-камеры TRC411

Процесс эволюции лазерно-индуцированной плазмы (ЛИП) заключается в следующем: мощный импульсный лазер облучает образец, и на поверхности образца происходит процесс испарение → ионизация → расширение → излучение → рекомбинация за очень короткое время.

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3