Главная / Библиотека / Лазерное восстановление поверхности отшлифованных пластин монокристаллического кремния

Лазерное восстановление поверхности отшлифованных пластин монокристаллического кремния

Теги inngu laser лазерное восстановление поверхности кремния Лазеры Super Pulse
Лазерное восстановление поверхности отшлифованных пластин монокристаллического кремния

1. Введение 

Монокристаллический кремний — незаменимый материал в полупроводниковой промышленности. Кремниевые пластины производятся из слитка монокристаллического кремния посредством ряда процессов, таких как нарезка, травление, шлифовка и полировка. Эти механические процессы вызывают подповерхностные дефекты: дислокации, микротрещины и т.п. Иногда глубокие скрытые дефекты, вызванные грубым черновым шлифованием, не могут быть полностью устранены даже после последующего тонкого шлифования и поэтому остаются в пластине. Для устранения подповерхностных дефектов после тонкого шлифования обычно проводится химико-механическая полировка (ХМП). Однако ХМП является сложным этапом, слабо поддается контролю и требует много времени. Для решения этой проблемы предлагаются альтернативные инновационные подходы.

Процесс лазерного восстановления проходит без образования загрязнений и отходов, не влечет потерю материала, и, кроме того, происходит быстро относительно процесса химико-механической полировки. Обработка кремниевой пластины диаметром 300 мм с использованием системы лазерного сканирования в линейном режиме занимает несколько минут. Технология лазерного восстановления практична, ее возможно применить для обработки изогнутых поверхностей, таких как края пластин и выемок, а также заготовок инфракрасных линз из кремния.

В данном исследовании показана возможность лазерного восстановления поверхности кремния, поврежденного грубой и тонкой алмазной шлифовкой, исследовано влияние на качество обработки пластин параметров лазерного излучения: длительности импульса и плотности мощности.

2. Механизм лазерного восстановления 

На рис. 1 представлена ​​принципиальная схема механизма лазерного восстановления подповерхностных дефектов, вызванных шлифованием, в пластине монокристаллического кремния. При импульсном лазерном воздействии расплавленный слой расширяется сверху вниз (рис. 1 (б)). Если расплавленный слой недостаточно глубок, подповерхностные дефекты, вызванные грубым шлифованием, останутся, и повлияют на границу раздела твердого тела и жидкости во время повторного затвердевания. В результате эпитаксиальный рост становится нестабильным. В случае, когда расплавленный слой находится глубже скрытых подповерхностных дефектов, граница раздела твердое тело/жидкость достигнет бездефектного объема. Таким образом, можно добиться стабильного эпитаксиального роста и итоговой монокристаллической структуры без дефектов.

схема

Рисунок 1  – Принципиальная схема механизма лазерного восстановления поверхностных дефектов, вызванных шлифованием, в пластине монокристаллического кремния.

3. Эксперимент

В качестве образца использовались пластины монокристаллического кремния, легированного бором, удельное сопротивление которых составляет 0,004−0,007 Ом·см. Кремниевые пластины были подвергнуты двум способам шлифования с использованием чашеобразных шлифовальных кругов: грубого шлифования крупными алмазными абразивными зернами (размер зерна 5-10 мкм) и тонкого шлифования алмазными абразивными зернами, размер зерен ~2 мкм.

Для обработки поверхности использовался лазер Nd:YVO4 Super Pulse 532-30 (Suzhou Inngu Laser Co., LTD, Китай) с длиной волны 532 нм. Лазерное воздействие осуществлялось в воздушной среде с использованием зеркального гальванометра. Диаметр пучка с гауссовым распределением плотности энергии составлял 85 мкм. Шаг сканирования был установлен на 13,3 мкм. Чтобы оценить влияние длительности импульса, в качестве параметров использовалась не только плотность энергии лазера, но и плотность мощности. Параметры лазерного излучения представлены в табл. 1.

Параметры лазерного излучения
Длительность импульса (нс) 16 26 38
Частота следования импульсов (кГц) 60 100 150
Средняя мощность (Вт) 0.90-5.40 1.50-9.00 2.25-13.50
Плотность энергии (Дж/см^2) 0.26-1.59
Плотность мощности (х10^7 Вт/см^2) 8.81-52.84 5.42-32.52 1.31-7.84
Скорость сканирования (мм/с) 51.0 85.0 127.5

4. Результаты 

На рис. 2 показаны трехмерные топографии поверхности при различных плотностях мощности лазерного излучения с длительностью импульса 36 нс. С увеличением плотности мощности соответственно увеличивалась глубина расплавленного слоя кремния. При малых значениях плотности мощности слой расплавленного кремния был чрезвычайно тонким, поэтому эффект поверхностного натяжения был недостаточным для выравнивания волнистости (рис. 2 (а, б, в)). Когда плотность мощности лазерного излучения увеличилась до 5,23×10^7 Вт/см^2, поверхность стала гладкой (рис. 2 (г)). С дальнейшим увеличением плотности мощности наблюдалось появление новых неровностей на поверхности (рис. 2 (д, е)).

ы

Рисунок 2 – Трехмерные топографии поверхности при различной плотности мощности лазерного излучения,  длительность импульса 36 нс; а – исходная поверхность, б – 1,31×10^7 Вт/см^2, в – 2,61×10^7 Вт/см^2, г – 5,23×10^7 Вт/см^2, д – 6,54×10^7 Вт/см^2, е – 7,84×10^7 Вт/см^2.

На рис. 3 показан график зависимости шероховатости поверхности от плотности мощности лазерного излучения и длительности импульса. При уменьшении длительности импульса график шероховатости поверхности смещался вправо, таким образом, шероховатость поверхности была минимальной при большей длительности импульса. Минимальная шероховатость поверхности по площади (Sa = 1,1 нм) была получена при плотности мощности излучения в диапазоне от 3,92×10^7 до 5,23×10^7 Вт/см^2 при длительности импульса 38 нс.

и

Рисунок 3  – Шероховатость поверхности исходной и обработанных кремниевых пластин при различной плотности мощности лазерного излучения и длительности импульса.

5. Выводы 

Результаты этого исследования показывают возможность использования лазерного воздействия для устранения подповерхностных дефектов кремниевых пластин, возникших в результате грубого и тонкого шлифования. Благодаря использованию достаточно высокой плотности мощности лазерного излучения (3,92×10^7 - 5,23×10^7 Вт/см^2) и подходящей длительности импульса (38 нс) расплавленный лазером слой восстанавливается без дефектов с незначительной генерацией поверхностных наноструктур.

В серии наносекундных лазеров Super Pulse производства Suzhou Inngu Laser Co. представлены модели с длинами волн 355, 532, 1064 нм и выходной мощностью от 3 до 60 Вт. Частота следования импульсов регулируется в кГц диапазоне, диаметр пучка составляет порядка 0,1-2 мм. Лазеры Super Pulse могут успешно использоваться в системах прецизионной обработки материалов для восстановления поверхности, резки, маркировки и скрайбирования.

Ознакомиться с каталогом Inngu Laser можно здесь.

 

Компания INSCIENCE занимается поставкой решений в области лазерной обработки материалов.

  Online заявка

Теги inngu laser лазерное восстановление поверхности кремния Лазеры Super Pulse
Новые статьи
Исследование характеристик КМОП-камеры с обратной засветкой в видимом диапазоне

В статье исследуются характеристики научной камеры Tucsen Dhyana95 с BSI-sCMOS сенсором (КМОП-сенсором с обратной засветкой) при регистрации видимого излучения. Проводится сравнение характеристик BSI-sCMOS камеры со спецификацией BSI-CCD камеры.

Лазерное ударное упрочнение (LSP) с использованием лазеров Litron

В статье рассматриваются перспективы применения лазерного ударного упрочнения для улучшения эксплуатационных характеристик высококачественной керамики. Для проведения эксперимента используется излучение высокой энергии 2-й, 3-ей и 4-ой гармоник наносекундного Nd:YAG лазера Litron LPY10J.

Методы и средства люминесцентной микроскопии

Современные тенденции развития люминесцентной микроскопии направлены, в первую очередь, на повышение разрешающей способности систем формирования изображения. Здесь к лючевую роль играют методы конфокальной и мультифотонной микроскопии.

      
Прецизионная визуализация времени жизни флуоресценции движущегося объекта

Метод временной мозаики FLIM позволяет повысить точность визуализации времени жизни флуоресценции движущихся объектов. Метод основан на записи массива (мозаики) изображений, построении и анализе векторной диаграммы мозаики с помощью специального ПО Becker & Hickl.

Выявление сверхбыстрых компонентов затухания по двухфотонной визуализации времени жизни флуоресценции спор грибов

С помощью системы Becker & Hickl DCS-120 MP со сверхбыстрыми детекторами для визуализации времени жизни флуоресценции исследуется флуоресценция спор различных видов грибов. Исследуются чрезвычайно быстрые компоненты с временем затухания 8 – 80 пс и амплитудами до 99,5% в функциях затухания.

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3