Главная / Новости / Моделирование нервного волокна на основе антирезонансного отражающего оптического волновода

Моделирование нервного волокна на основе антирезонансного отражающего оптического волновода

Световые и оптические методы как передовые широко используются для диагностики и лечения неврологических заболеваний. Понимание оптических свойств нервной ткани и нервных клеток имеет жизненно важное значение. Использование источников света в этих методах сопряжено со значительными проблемами, такими как поиск места передачи света в нервных волокнах, которое могло бы быть подходящим субстратом для передачи нейронных сигналов. Миелинизированные аксоны являются многообещающими кандидатами для передачи нервных сигналов и света ввиду их волноводных структур. С другой стороны, с появлением таких заболеваний, как рассеянный склероз и нарушений формирования и передачи нервных сигналов из-за демиелинизации, понимание свойств миелинизированного аксона как волновода приобретает большую важность. Настоящее исследование направлено на то, чтобы показать, что профиль показателя преломления (ПП) миелинизированного аксона играет существенную роль в передаче лучей в нем. По нервному волокну, профилю преломления и его сходству с волокном с вдавленной сердцевиной с более низким преломлением сердцевины по сравнению с оболочкой исследуется поведение нервного волокна на основе антирезонансной отражающей оптической волноводной структуры с учетом реалистичных оптических отклонений. Направление света на миелиновую оболочку и аксон показано путем введения аксона и миелиновой оболочки в качестве волновода в присутствии как аксона, так и миелина с изгибами, вариациями миелиновой оболочки и перехватом Ранвье.

Подробнее

Новые статьи
sCMOS–камера TRC411 с усилением для визуализации излучения Черенкова дозы лучевой терапии.

Команда младшего научного сотрудника Цзя Мэнъюй из Школы точных приборов и оптоэлектронной инженерии Тяньцзиньского университета осуществила визуализацию излучения Черенкова дозы лучевой терапии с помощью научной sCMOS–камеры с усилением, разработанной компанией CISS

Фиксирование эволюции морфологии лазерно-индуцированной плазменной люминесценции с использованием sCMOS-камеры TRC411
Процесс эволюции лазерно-индуцированной плазмы (ЛИП) заключается в следующем: мощный импульсный лазер облучает образец, и на поверхности образца происходит процесс испарение → ионизация → расширение → излучение → рекомбинация за очень короткое время.
КМОП-камера TRC411: Лазерное измерение расстояния и тестирование технологии огне- и дымопроницаемой разветки

Ли Цзыцин, младший научный сотрудник Тяньцзиньского института пожарных исследований Министерства по чрезвычайным ситуациям, недавно опубликовал в журнале "Fire Science and Technology" статью под названием «Технология обнаружения огня и дыма на основе лазерного дальномера», в которой использовалась научная SCMOS-камера TRC411 с усилением, разработанная компанией CISS.

Применение цифрового генератора задержки STC810 для синхронного запуска лазера и динамической съемки пламени

В науке о горении важно иметь глубокое понимание динамики вихрей пламени, а также параметров образования и распределения загрязняющих веществ, таких как сажа.

 

 

 

Цифровой генератор задержки сигналов STC810: управления системой синхронизации для исследования плазмы

Прибор синхронизирует время работы каждого модуля, обеспечивая единый тактовый сигнал и устанавливая точные временные задержки в соответствии с логикой работы каждого модуля в системе, гарантируя, что они выполнят нужные операции в нужный момент.

 

У Вас особенный запрос?
У Вас особенный запрос?
Весьма часто наши заказчики лучше нас знают, какое оборудование им нужно. В этом случае мы берём на себя общение с производителем, доставку и таможенную очистку, а также все вопросы гарантийного периода. Пожалуйста, заполните эту форму, и мы свяжемся с Вами, чтобы помочь решить любую Вашу задачу. Или позвоните нам по телефону +7(495)199-0-199
Форма заявки
Ваше имя: *
Ваше имя
Ваш e-mail: *
Ваш телефон: *
Ваш телефон
Наши
контакты
г. Москва, ул. Бутлерова, д. 17Б

г. Санкт-Петербург, улица Савушкина 83, корп. 3